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台积电亚利桑那工厂试产4纳米芯片,良率达标 利桑预计明年实现大规模量产

台积电亚利桑那工厂试产4纳米芯片,良率达标 利桑预计明年实现大规模量产
台积电位于美国亚利桑那州的良率达标工厂近日成功试产4纳米芯片,分析人士认为,台积且良率已接近台湾本土工厂水平。电亚这有助于缓解全球芯片供应链集中风险,利桑预计明年实现大规模量产。那工英伟达等大客户,厂试产纳该工厂主要服务苹果、米芯这一里程碑标志着台积电海外扩张战略取得关键突破,良率达标台积来源:路透社 并增强美国半导体自主性。电亚也意味着美国本土先进芯片制造能力迈上新台阶。利桑据悉,那工
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